NAND 플래시 메모리 기반 환경에서 LA트리를 이용한 고장회복 기법 연구

• 영문명: Breakdown recovery technique using the LA tree in the NAND flash memory-based environment
• 발행기관: 인문사회과학기술융합학회
• 저자명: 한성수
• 간행물 정보: 『예술인문사회융합멀티미디어논문지』5권 4호, 27~36쪽, 전체 10쪽
• 주제분류: 사회과학 > 사회과학일반
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2015.08.31

국문 초록

플래시 메모리 중 NAND 플래시 메모리는 저 전력과 빠른 접근 속도의 특징 때문에 유비쿼터스 및 모바일 환경에 적합한 특성으로 차세대 저장장치로 주목 받고 있다. 특히 플래시 메모리는 소형의 모바일 기기용 메모리와 SSD(solid state disk)와 같이 대용량 메모리 등 여러 분야에서 저장장치로 이용하고 있으며, 효율적 활용을 위하여 활발한 연구가 진행되고 있다. 그러나 NAND 플래시메모리 기반의 저장장치는 쓰기 전 소거 구조와 같은 독특한 하드웨어 특징을 가지고 있으며 B트리 인덱스 구조이므로 반복적인 쓰기 요청이 발생 시 성능저하가 야기된다. 이러한 문제를 개선하기 위해 본 논 문에서는 LA트리를 이용한 NAND 플래시 메모리 기반 고장회복개선 기법을 제안한다. 그리고 제안 기법과 기존기법의 성능평가를 실시하였다. 분석결과 제안기법이 기존기법 보다 50% 정도 성능이 우 수함을 입증하였다.

목차

1. 서론

2. 관련연구

3. LA-Tree를 이용한 NAND 플래시 메모리 기반 고장회복 기법

4. 성능평가

5. 결론

References

키워드

NAND Flash Memory,B-Tree,LA-Tree,Index,Recovery