반도체 디바이스 게이트 옥사이드의 신뢰성 예측

• 영문명: The reliability prediction in gate oxide of semiconductor device
• 발행기관: 한국산업경영시스템학회
• 저자명: 배석주(Suk Joo Bae) 김만수(Mansoo Kim)
• 간행물 정보: 『한국산업경영시스템학회 학술대회』2008년 하계학술대회 논문집, 1~7쪽, 전체 7쪽
• 주제분류: 공학 > 산업공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2008.07.30

영문 초록

Gate oxide breakdown is a key mechanism limiting IC lifetime. In this paper, we examine the characteristics of time dependent dielectric breakdown (TDDB) for ultra-thin gate oxide based on percolation models. From fractal theory describing complex geometrical structures, we investigate the relationship between the gate oxide structure and the critical defect density in ultrathin gate oxide breakdown.

목차

1. 서론

2. 게이트 옥사이드 고장에 대한 통계적 실험 모형

3. Critical Phenomena in Fractal Structure

4. 시뮬레이션과 결과

5. 결론

키워드

Area Scaling Fractal structure Gate oxide breakdown Percolation model Time dependent dielectric breakdown Weibull distribution