MOCVD를 이용한 HfO₂/SiNx 게이트 절연막의 증착 및 물성

• 영문명: Deposition and Characterization of HfO₂/SiNx Stack-Gate Dielectrics Using MOCVD
• 발행기관: 한국마이크로전자및패키징학회
• 간행물 정보: 『마이크로전자 및 패키징학회지』제11권 제2호, 29~35쪽, 전체 7쪽
• 주제분류: 공학 > 산업공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2004.06.30

국문 초록

65 nm급 게이트 유전체로의 HfO₂의 적용을 위해 hydrogen-terminate된 Si 기판과 ECR N₂ plasma를 이용하여 SiNx를 형성한 기판 위에 MOCVD를 이용하여 HfO₂를 증착하였다. 450℃에서 증착시킨 박막의 경우 낮은 carbon 불순물을 가지며 비정질 matrix에 국부적인 결정화와 가장 적은 계면층이 형성되었으며 이 계면층은 Hf-silicate임을 알 수 있었다. 또한 900℃, 30초간 N₂분위기에서 RTA 결과 HfO₂/Si의 single layer capacitor의 경우 계면층의 증가로 인해 EOT가 열처리전(2.6nm)보다 약 1 nm 증가하였다. 그러나 HfO₂/SiNx/Si stack capacitor의 경우 SiNx 계면층은 열처리후에도 일정하게 유지되었으며 HfO₂ 박막의 결정화로 열처리전(2.7nm)보다 0.3nm의 EOT 감소를 나타내었으며 열처리후에도 4.8×10⁶A/cm²의 매우 우수한 누설전류 특성을 가짐을 알 수 있었다.

영문 초록

Hafnium-oxide gate dielectric films deposited by a metal organic chemical vapor deposition technique on a N₂-plasma treated SiNx and a hydrogen-terminated Si substrate have been investigated. In the case of HfO₂ film deposited on a hydrogen-terminated Si substrate, suppressed crystallization with effective carbon impurity reduction was obtained at 450℃. X-ray photoelectron spectroscopy indicated that the interface layer was Hf-silicate rather than phase separated Hf-silicide and silicon oxide structure. Capacitance-voltage measurements show equivalent oxide thickness of about 2.6nm for a 5.0 nm HfO₂/Si single layer capacitor and of about 2.7 nm for a 5.7 nm HfO₂/SiNx/Si stack capacitor. TEM shows that the interface of the stack capacitor is stable up to 900℃ for 30 sec.

목차

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

키워드

Metal Organic Chemical Vapor Deposition High-k Dielectric Hf-t-butoxide