본문 바로가기

추천 검색어

실시간 인기 검색어

학술논문

Ag층을 이용한 Sn과 In의 무 플럭스 접합

이용수 0

영문명
Fluxless Bonding Method between Sn and In Bumps Using Ag Capping Layer
발행기관
한국마이크로전자및패키징학회
저자명
간행물 정보
『마이크로전자 및 패키징학회지』제11권 제2호, 23~28쪽, 전체 6쪽
주제분류
공학 > 산업공학
파일형태
PDF
발행일자
2004.06.30
4,000

구매일시로부터 72시간 이내에 다운로드 가능합니다.
이 학술논문 정보는 (주)교보문고와 각 발행기관 사이에 저작물 이용 계약이 체결된 것으로, 교보문고를 통해 제공되고 있습니다.

1:1 문의
논문 표지

국문 초록

본 실험에서는 Ag 층을 이용한 무 플럭스 접합 공정을 개발하였으며 Ag의 유무에 따른 효과를 관찰하기 위해 In (10μm)과 Sn (10μm)솔더 및 Ag (100 nm)/In과 Ag/Sn 솔더를 thermal evaporation 방법으로 하부 금속층 위에 형성하였다. 접합부의 접촉저항과 전단 하중을 측정하기 위해 쿠폰시편을 제조하였으며 이리한 쿠폰시편은 130℃에서 0.8, 1.6, 3.2 MPa의 접합압력을 가하여 30초간 접합을 실시하였다. 전단하중과 4단자 저항측정법을 이용하여 접합부의 특성을 분석하였으며 주사전자현미경(Scanning Electron Microscope), EDS (Energy Dispersive Spectrometry)과 X-ray mapping을 통해 접합부를 관찰하였다. 전단하중 측정 결과 0.8 MPa에서는 In-Sn 솔더의 접합이 이루어지지 않았으며 접합압력이 증가해도 Ag/In-Ag/Sn 시편의 전단하중 측정값이 In-Sn 시편에 비해 높게 나타났다. 접합부의 저항감은 2-4mΩ을 나타내었으며 접합압력이 증가할수록 In-Sn 혼합층이 더 많이 관찰되었다.

영문 초록

We utilized Ag capping layer for fluxless bonding. To investigate the effect of Ag capping layer, two sets of sample were used. One set was bare In and Sn solders. The other set was In and Sn solders with Ag capping layer. In (10μm) and Sn (10μm) solders were deposited on Cu/Ti/Si substrate using thermal-evaporation, and Ag (0.1μm) capping layers were deposited on In and Sn solders. Solder joints were made by joining two In and Sn deposited specimens at 130℃ for 30 s under 0.8, 1.6, 3.2 MPa using thermal compression bonder. The contact resistance was measured using four-point probe method. The shear strength of the solder joints was measured by the shear test of cross-bar sample in the direction. The microstructure of the solder joints was characterized with SEM and EDS. In and Sn solders without Ag capping layers were only bonded at 130℃ under high bonding pressure. Also the shear strength of the In-Sn solder joints under was lower than that of the Ag/In-Ag/Sn solder joints. The resistance of the solder joints was 2-4mΩ The solder joints consisted of In-rich phase and Sn-rich phase and the intermixed compounds were found at the interface. As bonding pressure increased, the intermixed compounds formed more.

목차

1. 서론
2. 실험 방법
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
참고문헌

키워드

해당간행물 수록 논문

참고문헌

교보eBook 첫 방문을 환영 합니다!

신규가입 혜택 지급이 완료 되었습니다.

바로 사용 가능한 교보e캐시 1,000원 (유효기간 7일)
지금 바로 교보eBook의 다양한 콘텐츠를 이용해 보세요!

교보e캐시 1,000원
TOP
인용하기
APA

. (2004).Ag층을 이용한 Sn과 In의 무 플럭스 접합. 마이크로전자 및 패키징학회지, 11 (2), 23-28

MLA

. "Ag층을 이용한 Sn과 In의 무 플럭스 접합." 마이크로전자 및 패키징학회지, 11.2(2004): 23-28

결제완료
e캐시 원 결제 계속 하시겠습니까?
교보 e캐시 간편 결제