Stacked Chip Package를 위한 Sn-Sn 기계적 접합의 미세구조와 접착강도

• 영문명: Microstructure and Adhesion Strength of Sn-Sn Mechanical Joints for Stacked Chip Package
• 발행기관: 한국마이크로전자및패키징학회
• 간행물 정보: 『마이크로전자 및 패키징학회지』제7권 제1호, 19~24쪽, 전체 6쪽
• 주제분류: 공학 > 산업공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2000.03.31

국문 초록

Workstation이나 PC seven옹 메모리칩의 고밀도 실장을 위한 stack chips package (SCP)를 만들기 위해서는 여러 개의 리드프레임이 수직으로 접합되어야 한다. 이를 위하여 Cu리드프레임 위에 전기화학증착법으로 Sn 또는 Sn/Ag를 도금한 후 XRD와 SEM으로 미세구조를 분석하였다. 그리고 두 개의 시편을 250℃에서 10분간 열처리하고 가압하여 접합한 후 전단강도를 측정하여 비교하였다. Sn만이 도금된 경우, Sn과 Cu리드프레임이 반응하여 Cu₃Sn이 생성되었고, Sn/Ag의 경우에는 Cu₃Sn외에 Sn과 Ag가 반응하여 Ag₃Sn이 형성되었다. 전단강도는 Sn/Ag의 경우가 Sn만이 도금되었을 때보다 약 1.2배 정도 강하였다. 이는 접합면에 형성된 Ag₃Sn이 전단강도를 강화시켰기 때문이다.

영문 초록

To make stacked chip packages far high-density packaging of memory chips used in workstations or PC severs, several lead-frames are to be connected vertically. Fer this purpose. Sn or Sn/Ag were electrochemically deposited on Cu lead-frames and their microstructures were examined by XRD and SEM. Then, two specimens were annealed at 250℃ for 10 min. and pressed to be joined. The shear stresses of joined lead-frames were measured fur comparison. In the case of Sn only, Cu₃Sn was formed by the reaction of Sn and Cu lead-frames. In the case of Sn/Ag, besides Cu₃Sn. Ag₃Sn was formed by the reaction of Sn and Ag. Compared to joined specimens made from Sn only, those made from Sn/Ag showed 1.2 times higher shear stress. This was attributed to the Ag₃Sn phase formed at the joined interface.

목차

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌