학술논문
유리-유리 기판의 진공-정전 열 접합 특성
이용수 0
- 영문명
- Vacuum-Electrostatic Bonding Properties of Glass-to-Glass Substrates
- 발행기관
- 한국마이크로전자및패키징학회
- 저자명
- 간행물 정보
- 『마이크로전자 및 패키징학회지』제7권 제1호, 7~12쪽, 전체 6쪽
- 주제분류
- 공학 > 산업공학
- 파일형태
- 발행일자
- 2000.03.31
4,000원
구매일시로부터 72시간 이내에 다운로드 가능합니다.
이 학술논문 정보는 (주)교보문고와 각 발행기관 사이에 저작물 이용 계약이 체결된 것으로, 교보문고를 통해 제공되고 있습니다.
국문 초록
유리 프릿과 유리 튜브를 사용하지 않고 FED, VFD와 PDP를 봉입할 수 있는 기반 기술로서, 진공 내에서 두 장의 sodalite유리 기판들을 정전 열 접합하는 공정을 연구하였으며, 대기 중에서 정전 열 접합한 기판 쌍들과 비교하여 접합 특성을 비교.분석하였다. 진공 분위기 내에서 비정질 실리콘 interlayer를 이용하여 접합된 유리 기판 쌍의 경우, 대기압의 경우와 비교할 때 동일한 접합 온도와 전압에서 접합 강도가 상대적으로 낮은 것으로 측정되었으며, 산소 분위기의 경우 접합 강도가 증가하였음을 확인하였다. XPS와 SIMS를 통한 비정질 실리콘 표면 및 유리기판 표면의 조성 변화 분석으로부터, 진공내에서 산소가 부족함으로써 정전 열 접합 과정에서 부가적으로 수반되는 실리콘 산화막이 불완전하게 형성된 것으로 해석 할 수 있다.
영문 초록
As an essential technology for the FED, VFD and PDP packaging having merits of no glass frit and no glass tube usage, two sodalime glass substrates were electrostatically-bonded in a vacuum environment, and the bond properties were compared with the case of bonding in atmosphere. The glass wafer pairs bonded in vacuum using a-Si interlayer had a relatively lower bond strength than the ones bonded in atmosphere under same bonding conditions (temperature and voltage). And the bond strength was increased in the case of oxygen ambient. Through the XPS and SIMS analyses fur the surface region of a-silicon and bulk glass, it might be concluded that the lower bonding strength was originated from the inactive silicon oxide growth occurred during the electrostatic bonding process due to oxygen deficiency in vacuum.
목차
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 분석
4. 결론
감사의 글
참고문헌
해당간행물 수록 논문
- Reliability Enhancement of Anisotropic Conductive Adhesives Flip Chip on Organic Substrates by Non-Conducting Filler Additions
- 공기막의 스퀴즈효과를 고려한 마이크로미러 설계에 관한 연구
- Critical Cleaning Requirements for Back End Wafer Bumping Processes
- 유리-유리 기판의 진공-정전 열 접합 특성
- LTCC-M 기술을 이용한 내부실장 R, L, C 수동소자의 특징 및 LMR용 PAM개발
- 고주파 MCM-C용 내부저항의 제작 및 특성 평가
- Critical Cleaning Requirements for Flip Chip Packages
- Stacked Chip Package를 위한 Sn-Sn 기계적 접합의 미세구조와 접착강도
- Structural Characteristics on InAs Quantum Dots multi-stacked on GaAs(100) Substrates
- 접촉각 측정과 AFM/LFM을 이용한 불화 유기박막의 특성 평가
참고문헌
교보eBook 첫 방문을 환영 합니다!
신규가입 혜택 지급이 완료 되었습니다.
바로 사용 가능한 교보e캐시 1,000원 (유효기간 7일)
지금 바로 교보eBook의 다양한 콘텐츠를 이용해 보세요!