열처리 온도에 따른 BZO 박막의 전기적 및 광학적 특성

• 영문명: Electrical and Optical Properties of BZO Thin Films Deposited by RF Magnetron Sputtering with Various Annealing Temperatures
• 발행기관: 한국전자통신학회
• 저자명: 강성준(Seong-Jun Kang) 정양희(Yang-Hee Joung)
• 간행물 정보: 『한국전자통신학회 논문지』제19권 제1호, 47~52쪽, 전체 6쪽
• 주제분류: 공학 > 전자/정보통신공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2024.02.29

국문 초록

본 연구에서는 유리 기판 위에 BZO박막을 제작한 후, 열처리 온도가 박막의 전기적 및 광학적 특성에 미치는 영향을 조사하였다. XRD 분석 결과, 열처리 온도에 무관하게 모든 박막이 c-축 배향성을 나타내었다. 열처리 온도가 400에서 600℃로 증가함에 따라 반가폭(FWHM)은 1.65에서 1.07° 로 감소하였다. 가시광 영역(400-800nm)에서의 평균 투과도는 열처리 온도에 큰 영향 없이 85% 이상의 높은 값을 나타내었다. Hall 측정 결과, 열처리 온도에 따라 캐리어 농도와 이동도는 증가하였고 비저항은 감소하였다. 600℃에서 열처리한 BZO박막의 비저항과 캐리어 농도는 각각 9.75 × 10-2 Ω·cm 과 4.21×1019 cm-3 로 가장 우수한 값을 나타내었다. 향후 BZO박막의 공정 조건과 열처리 조건을 최적화시킨다면, 차세대 광전자 소자에 응용될 수 있는 매우 유망한 재료로 주목받을 것으로 기대된다.

영문 초록

The effects of annealing temperature on the optical and electrical properties of BZO thin films, grown on glass substrate, have been investigated. Analysis of the XRD shows that regardless of the annealing temperature, all BZO thin films indicate the c-axis orientation. The full width of half maximum (FWHM) decreases from 1.65 to 1.07° as the annealing temperature increases from 400 to 600℃. The average transmittance in the visible light region showed a high value of 85% without significantly affecting the annealing temperature. The results of Hall effect measurements indicate that the carrier concentration and mobility increased and the resistivity decreased as the annealing temperature increased. The resistivity and the carrier concentration of the BZO thin films annealed 600℃ were 9.75 × 10-2 Ω·cm and 4.21× 1019 cm-3 respectively, showing the best value. The optimization of deposition and annealing conditions will certainly make the BZO thin films promising materials for the application to the next generation of optoelectronic devices.

목차

Ⅰ. 서 론

Ⅱ. 실험방법

Ⅲ. 결과 및 논의

Ⅳ. 결 론

References

키워드

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