Cu Pillar 플립칩 접속부의 열 싸이클링 및 고온유지 신뢰성

• 영문명: Thermal Cycling and High Temperature Storage Reliabilities of the Flip Chip Joints Processed Using Cu Pillar Bumps
• 발행기관: 한국마이크로전자및패키징학회
• 간행물 정보: 『마이크로전자 및 패키징학회지』제17권 제3호, 27~32쪽, 전체 6쪽
• 주제분류: 공학 > 산업공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2010.09.30

국문 초록

Cu pillar 범프와 Sn 패드로 구성된 플립칩 접속부를 형성한 후, Sn 패드의 높이에 따른 Cu pillar 플립칩 접속부의 열 싸이클링 및 고온유지 신뢰성을 분석하였다. Cu pillar 플립칩 접속부를 구성하는 Sn 패드의 높이가 5 µm에서 30 µm로 증가함에 따라 접속저항이 31.7 mΩ에서 13.8 mΩ로 감소하였다. -45℃~125℃ 범위의 열 싸이클을 1000회 인가한 후에도 Cu pillar 플립칩 접속부의 접속저항의 증가가 12% 이하로 유지되었으며, 열 싸이클링 시험전과 거의 유사한 파괴 전단력을 나타내었다. 125℃에서 1000 시간 유지시에도 Cu pillar 플립칩 접속부의 접속저항의 증가가 20% 이하로 유지되었다.

영문 초록

For the flip chip joints processed using Cu pillar bumps and Sn pads, thermal cycling and high temperature storage reliabilities were examined as a function of the Sn pad height. With increasing the height of the Sn pad, which composed of the flip chip joint, from 5 µm to 30 µm, the contact resistance of the flip chip joint decreased from 31.7 mΩ to 13.8 mΩ. Even after thermal cycles of 1000 times ranging from -45℃ to 125℃, the Cu pillar flip chip joints exhibited the contact resistance increment below 12% and the shear failure forces similar to those before the thermal cycling test.The contact resistance increment of the Cu pillar flip chip joints was maintained below 20% after 1000 hours storage at 125℃.

목차

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

감사의 글

참고문헌

키워드

flip chip Cu pillar bump Sn pad reliability thermal cycling high temperature storage