SOI 구조를 이용한 수직 Hall 센서에 대한 특성 연구

• 영문명: Characteristic Analysis of The Vertical Trench Hall Sensor using SOI Structure
• 발행기관: 한국마이크로전자및패키징학회
• 간행물 정보: 『마이크로전자 및 패키징학회지』제9권 제4호, 25~29쪽, 전체 5쪽
• 주제분류: 공학 > 산업공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2002.12.31

국문 초록

기존 홀 센서의 단점을 개선하기 위해서 트랜치를 이용한 수직 홀 센서를 제작하였다. 수직 홀 센서는 센서의 칩 표면에 수평 자계를 검출할 수 있으며, 홀 센서는 실리콘 직접 본딩 기술에 의해 제작된 SOI 기판 위에 제작하였다. 기판 아래의 SiO₂층과 마이크로머시닝에 의한 트랜치가 홀 센서의 동작 영역을 정의한다. 홀 센서의 감도는 150V/AT로 측정되었으며 안정된 값을 나타내었다.

영문 초록

We have fabricated a vertical trench Hall device which is sensitive to the magnetic field parallel to the sensor surface. The vertical trench Hall device has been built on SOI wafer which is produced by silicon direct bonding technology using bulk micromachining, where buried SiO₂ layer and surround trench define active device volume. Sensitivity up to 150 V/AT has been measured.

목차

1. 서론

2. 센서의 설계

3. 제작 및 특성측정

4. 결론

감사의 글

4. 결론

참고문헌

키워드

vertical trench-Hall device SOI TMAH