프린팅 히터용 코발트실리사이드 박막의 형성과 특성연구

• 영문명: Preparation and Characterization of Cobalt Silicide Films for Printing Heater
• 발행기관: 한국마이크로전자및패키징학회
• 간행물 정보: 『마이크로전자 및 패키징학회지』제9권 제2호, 49~54쪽, 전체 6쪽
• 주제분류: 공학 > 산업공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2002.06.30

국문 초록

Poly-Si/SiO₂/Si 하부기판구조 위에 Co 금속을 E-beam evaporation 방식으로 증착하고 급속 열처리 방식을 통해 프린터 heater용 코발트실리사이드 박막을 형성하였다. 급속열처리 온도 (600~900℃)와 시간 (20~40초)을 변수로 하여 코발트실리사이드의 결정상 및 성분분포를 조사하였다. 또한 제작된 박막의 면저항과 결정특성 분석을 통해 고온에서의 열적 안정성을 확인하였다. 800℃ 온도에서 20초간 급속열처리한 경우 면저항이 약 0.8 Ω /□ 인 안정한 CoSi₂ 결정상의 코발트실리사이드 박막이 얻어졌다. 그러나 700℃ 이하의 온도에서는 결정상의 변화에 따라 코발트실리사이드 박막의 면저항이 급격히 증가하였다. 코발트실리사이드 박막의 온도저항계수는 약 0.0014/℃ 값을 나타내었으며, 프린터 발열체로 응용가능함을 확인 할 수 있었다.

영문 초록

Cobalt silcides thin films were prepared on Poly-Si/SiO₂/Si substrates by Co metal depostion using E-beam evaporation method and rapid thermal annealing for the application of inkjet printing heater. The crystal phases and composition distributions of the films were investigated as functions of the rapid thermal annealing (RTA) temperatures (600~900℃) and times (20~40 sec). The high temparature thermal stability was also investigated by the analysis of sheet resistance and crystalline properties. The stable CoSi₂ phases were obtained by the RTA annealing at 800℃ for 20 seconds showing 0.8 Ω /□ of sheet resitance. However, the sheet resistances were sharply increased at below 700℃ due to changes of crystalline phases. The temperature resistance coefficient of heating elements was found to be about 0.0014/℃, and the obtained cobalt silicided films can be applied to the printer heating elements.

목차

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

감사의 글

참고문헌

키워드

heating element cobalt silicide thin films CoSi₂ rapid thermal annealing