학술논문
Deposition of SiCxNy Thin Film as a Membrane Application
이용수 2
- 영문명
- Deposition of SiCxNy Thin Film as a Membrane Application
- 발행기관
- 한국마이크로전자및패키징학회
- 저자명
- 간행물 정보
- 『마이크로전자 및 패키징학회지』제8권 제1호, 39~43쪽, 전체 5쪽
- 주제분류
- 공학 > 산업공학
- 파일형태
- 발행일자
- 2001.03.31
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국문 초록
영문 초록
SiCxNy film is deposited by electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition system using SiH_4(5% in Ar), CH₄ and N₂. Ternary phase SiCxNy thin film deposited at the microwave power of 600 W and substrate temperature of 700 contains considerable amount of strong C-N bonds. Change in CH₄flow rate can effectively control the residual film stress, and typical surface roughness of 34.6 (rms) was obtained. Extremely high hardness (3952 Hv) and optical transmittance (95% at 633 nm) was achieved, which is suitable for a LIGA mask membrane application.
목차
1. Introduction
2. Experiment
3. Results and Discussion
4. Conclusions
Acknowledgement
References
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