학술논문
비아 크기가 솔더범프 형성에 미치는 영향
이용수 0
- 영문명
- Via-size Dependance of Solder Bump Formation
- 발행기관
- 한국마이크로전자및패키징학회
- 저자명
- 간행물 정보
- 『마이크로전자 및 패키징학회지』제8권 제1호, 33~38쪽, 전체 6쪽
- 주제분류
- 공학 > 산업공학
- 파일형태
- 발행일자
- 2001.03.31
4,000원
구매일시로부터 72시간 이내에 다운로드 가능합니다.
이 학술논문 정보는 (주)교보문고와 각 발행기관 사이에 저작물 이용 계약이 체결된 것으로, 교보문고를 통해 제공되고 있습니다.
![논문 표지](https://contents.kyobobook.co.kr/sra/upload/book_img/261/261908.jpg)
국문 초록
5인치 실리콘 기판위에 수 회 코팅기술을 이용하여 두꺼운 감광막을 얻은 후, 전기도금 법으로 솔더범프를 형성하고, 비아크기의 변화에 따른 리플로 전과, 후의 솔더범프 형성에 미치는 영향을 조사하였다. 리플로 전의 범프바닥 (bump bottom) 직경은 리플로 후에도 거의 변화가 없는 반면, 솔더범프 모양은 패턴된 비아직경 크기에 크게 의존했다. 비아직경이 클수록 높은 도금효율을 보였다. 비아직경이 작을수록 리플로 후의 범프는 리플로 전의 범프높이와 비교하여 크게 낮아졌지만, aspect ratio는 크다는 것을 알았다. 고밀도와 고aspect ratio를 갖는 범프를 얻기 위하여 비아직경과 범프피치를 줄여야하지만, 과도금 (overplating), 또는 리플로를 할 때 최인접 간 범프끼리 맞닿을 수 있기 때문에 최인접 간 범프거리 확보는 중요하다. 비아높이(film두께)를 높게 하여 과도금을 하지 않고 비아높이가지만 도금하여 과도금으로 인한 최인접 범프끼리의 맞닿음을 없애는 방법과 범프배열을 zig-zag로 하는 방법을 혼용하면 과도금, 또는 리플로를 할 때 최인접 범프 간에 맞닿는 문제는 어느 정도 해결할 수 있다.
영문 초록
We investigate the via-size dependance of as-electroplated- and reflow-bump shapes for realizing both high-density and high-aspect ratio of solder bump. The solder bump is fabricated by subsequent processes as follows. After sputtering a TiW/Al electrode on a 5-inch Si-wafer, a thick photoresist for via formation it obtained by multiple-codling method and then vias with various diameters are defined by a conventional photolithography technique using a contact alinger with an I-line source. After via formation the under ball metallurgy (UBM) structure with Ti-adhesion and Cu-seed layers is sputtered on a sample. Cu-layer and Sn/pb-layer with a competition ratio of 6 to 4 are electroplated by a selective electroplating method. The reflow-bump diameters at bottom are unchanged, compared with as-electroplated diameters. As-electroplated- and reflow-bump shapes, however, depend significantly on the via size. The heights of as-electroplated and reflow bumps increase with the larger cia, while the aspect ratio of bump decreases. The nearest bumps may be touched by decreasing the bump pitch in order to obtain high-density bump. The touching between the nearest bumps occurs during the overplating procedure rather than the reflowing procedure because the mushroom diameter formed by overplating is larger than the reflow-bump diameter. The arrangement as zig-zag rows can be effective for realizing the flip-chip-interconnect bump with both high-density and high-aspect ratio.
목차
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 논의
4. 결론
참고문헌
해당간행물 수록 논문
- 디지털 이동통신단말기용 IF 주파수합성기 IC개발에 관한 연구
- 솔더 층의 증착 순서에 따른 저 융점 극 미세 솔더 범프의 볼 형성에 관한 연구
- 촉매 화학기상증착법을 이용한 탄소나노튜브의 합성 및 특성 연구
- LTCC기술을 이용한 VCO(Voltage Controlled Oscillator) 개발
- 적색 중심 Optical Link용 Si pin Photodetector의 설계 및 제작
- V₂O₅의 첨가가 (Zr₀.₈,Sn₀.₂)TiO₄의 마이크로파 유전특성에 미치는 영향
- Metallization of Polymers Modified by Ton-Assisted Reaction (IAR)
- 솔더 페이스트의 용융현상 연구
- Deposition of SiCxNy Thin Film as a Membrane Application
- 비아 크기가 솔더범프 형성에 미치는 영향
참고문헌
관련논문
공학 > 산업공학분야 NEW
- 반려동물의 행동 분석 및 질병 예측을 위한 인공지능 모델링
- SWOT과 PESTLE 방법론을 이용한 C커머스의 글로벌시장 성공진출 요인 도출
- 다이나믹어포던스 강화를 위한 디지털파라메트릭 디자인 연구
최근 이용한 논문
교보eBook 첫 방문을 환영 합니다!
신규가입 혜택 지급이 완료 되었습니다.
바로 사용 가능한 교보e캐시 1,000원 (유효기간 7일)
지금 바로 교보eBook의 다양한 콘텐츠를 이용해 보세요!
![교보e캐시 1,000원](https://contents.kyobobook.co.kr/resources/dig-fo/dig/images/ink/etc/img_eCash@2x.png)