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학술논문

Deposition Optimization and Property Characterization of Copper-Oxide Thin Films Prepared by Reactive Sputtering

이용수 0

영문명
발행기관
한국마이크로전자및패키징학회
저자명
간행물 정보
『마이크로전자 및 패키징학회지』제20권 제1호, 27~31쪽, 전체 5쪽
주제분류
공학 > 산업공학
파일형태
PDF
발행일자
2013.03.31
4,000

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1:1 문의
논문 표지

국문 초록

영문 초록

Copper-oxide (CuO) thin films were prepared by reactive sputtering of Cu onto Si wafers and characterized using a statistical design of experiments approach. The most significant factor in controlling the electrical resistivity and deposition rate was determined to be the O₂ fraction. The deposited CuO thin films were characterized in terms of their physical and chemical properties, using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), and 4-point resistance measurements. The deposited copper thin films were characterized by XPS and XRD analyses to consist of Cu²⁺. The CuO thin films of highest resistivity exhibited superior rectifying responses with regard to n-type Si wafers, with a current ratio of 3.8×10³. These superior responses are believed to be associated with the formation of a charge-depletion region originating from the p-type CuO and n-type Si materials.

목차

1. Introduction
2. Experimental Procedure
3. Results and Discussion
4. Conclusions
Acknowledgements
References

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APA

. (2013).Deposition Optimization and Property Characterization of Copper-Oxide Thin Films Prepared by Reactive Sputtering. 마이크로전자 및 패키징학회지, 20 (1), 27-31

MLA

. "Deposition Optimization and Property Characterization of Copper-Oxide Thin Films Prepared by Reactive Sputtering." 마이크로전자 및 패키징학회지, 20.1(2013): 27-31

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