학술논문
Effect of Localized Recrystallization Distribution on Edgebond and Underfilm Applied Wafer-level Chip-scale Package Thermal Cycling Performance
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- 영문명
- 발행기관
- 한국마이크로전자및패키징학회
- 저자명
- 간행물 정보
- 『마이크로전자 및 패키징학회지』제22권 제1호, 27~34쪽, 전체 8쪽
- 주제분류
- 공학 > 산업공학
- 파일형태
- 발행일자
- 2015.03.31
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국문 초록
영문 초록
The correlation between crack propagation and localized recrystallization are compared in a series of cross section analyses on thermal cycled edgebond and underfilm material applied wafer level chip scale package (WLCSP) components with a baseline of no-material applied WLCSP components. The results show that the crack propagation distribution and recrystallization region correlation can explain potential degradation mechanisms and support the damage accumulation history in a more efficient way. Edgebond material applied components show a shift of damage accumulation to a more localized region, thus potentially accelerated the degradation during thermal cycling. Underfilm material applied components triggered more solder joints for a more wider distribution of damage accumulation resulting in a slightly improved thermal cycling performance compared to no-material applied components. Using an analysis on localized distribution of recrystallized areas inside the solder joint showed potential value as a new analytical approach.
목차
1. Introduction
2. Experimental Procedure
3. Results and Discussion
4. Conclusions
References
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참고문헌
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