스퍼터링 파라미터가 (001) Si 기판위에 성장한 ZnO 박막의 결정성에 미치는 영향

• 영문명: Influence of Sputtering Parameters on Crvstallinitv of ZnO Thin Films on (001) Si Substrate.
• 발행기관: 호서대학교 공업기술연구소
• 저자명: 이수만(S.M.Lee) 김강복(K .B.Kim) 오동철(D.C.Oh)
• 간행물 정보: 『공업기술연구 논문집』제34권 제1호, 17~24쪽, 전체 8쪽
• 주제분류: 공학 > 공학일반
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2015.06.30

국문 초록

본 연구에서는 Z nO 박막의 최적화된 제작조건을 찾기 위해, RF-스퍼터링을 이용하여 (001) Si 기판위에서 폴라즈마 파워, 공정압력, 증착시간. 기판온도의 변화에 따른 박막의 두께. 표면거칠기, X-선 회절곡선. 발광 스펙 트림을 관찰하였다. 제작된 Z nO 박막은 플라즈마 파워가 증가할수록 두께와 표면거칠기, X-선 회절 피크가 증가 하였고, 100W에서 스펙트럼의 발광세기가 가장 크게 나타났다. 공정압력의 증가함에 따라 박막의 두께, 표면거칠 기가 증가하였고. X-선 회절피크는 5mTorr와 lO m T orr에서 비슷한 강도가 나타났고, 15mTorr에서 감소하였 다. 15mTorr에서 스펙트럼의 발광세기가 가장 크게 나타났다. 중착시간에 따라 박막의 두께와 표면거칠기 , X-선 회절피크가 증가하였다. 그러나 증착시간이 가장 짧은 5분에서 스펙트럼의 발광세기가 가장 강하게 나타났다. 기판 온도에 따라 박막의 두께는 실온에서 1 0 0 t까지 감소하다, 1 0 0t 이상에서 증가했다. 기판온도가 증가함에 따라 표면거칠기와 X-선 회절피크가 증가하였고, 스펙트럼의 결과 200. 400°C에서 발광세기가 가장 크게 관찰되었다.

목차

i. 서 론

II. 실험 방법

III. 실험결과 및 고찰

IV. 결론

키워드

ZnO thin films rf-sputtermg Si substrate