2단계 스퍼터링으로 형성시킨 강유전 박막의 누설전류 개선

• 영문명: Improvement of Leakage Current in Ferroelectric Thin Films Formed by 2-step Sputtering
• 발행기관: 한국마이크로전자및패키징학회
• 간행물 정보: 『마이크로전자 및 패키징학회지』제13권 제1호, 17~22쪽, 전체 6쪽
• 주제분류: 공학 > 산업공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2006.03.31

국문 초록

2단계 스퍼터링으로 강유전 PZT 박막을 형성시켜 유전특성과 전도기구를 조사하였다. 또한 PZT 박막 내의 carrier를 보상해주기위해 도너 불순물을 도핑하였다. 2단계 스퍼터링으로 상온층 두에를 조절하여 누설전류를 10⁻⁷A/cm² order까지 줄일 수 있었다. 전도기구가 bulk-limited의 하나임을 확인하였고 따라서 적정한 도너 불순물을 채택하였다. 도너 불순물을 도핑한 경우 2단계 스퍼터링한 PZT 박막의 누설전류 특성은 10⁻⁸A/cm² order까지 개선되었다.

목차

I. 서론

II. 실험 방법

III. 결과 및 고찰

IV. 결론

감사의 글

참고문헌

키워드

Ferroelctric PZT 2-step sputtering donor impurity doping leakage current room temp.-layer