블록 공중합체 박막을 이용한 실리콘 나노점의 형성

• 영문명: Fabrication of Si Nano Dots by Using Diblock Copolymer Thin Film
• 발행기관: 한국마이크로전자및패키징학회
• 간행물 정보: 『마이크로전자 및 패키징학회지』제14권 제2호, 17~21쪽, 전체 5쪽
• 주제분류: 공학 > 산업공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2007.06.30

국문 초록

밀도가 높고 주기적으로 배열된 실리콘 나노점이 실리콘 기판위에 형성 되었다. 실리콘 나노점을 형성하기 위해 사용된 나노패턴의 지름은 15~40 나노미터(nm)이고 깊이는 40 nm 이었으며 기공과 기공 사이의 거리는 40~80nm 이었다. 나노미터 크기의 패턴을 형성시키기 위해서 자기조립물질을 사용했으며 폴리스티렌(PS) 바탕에 벌집형태로 평행하게 배열된 실린더 모양의 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA)의 구조를 형성하였다. 폴리메틸메타아크릴레이트를 아세트산으로 제거하여 폴리스티렌만 남아있는 나노크기의 마스크를 만들었다. 형성된 나노패턴에 전자빔 기상증착장치를 사용하여 금 박막을 100Å 증착하고 리프트오프(lift-off) 방식으로 금 나노점을 만들었다. 형성된 금 나노점을 불소기반의 화학반응성 식각법을 이용하여 식각하고 황산으로 제거하였다. 형성된 실리콘 나노점의 지름은 30~70nm였고 높이는 10~20nm 였다.

영문 초록

Dense and periodic arrays of holes and Si nano dots were fabricated on silicon substrate. The nanopatterned holes were approximately 15~40nm wide, 40 nm deep and 40~80nm apart. To obtain nano-size patterns, self?assembling diblock copolymer were used to produce layer of hexagonaly ordered parallel cylinders of polymethylmethacrylate (PMMA) in polystyrene(PS) matrix. The PMMA cylinders were degraded and removed with acetic acid rinse to produce a PS. 100Å-thick Au thin film was deposited by using e-beam evaporator. PS template was removed by lift-off process. Arrays of Au nano dots were transferred by using Fluorine-based reactive ion etching(RE). Au nano dots were removed by sulfuric acid. Si nano dots size and height were 30~70nm and 10~20nm respectively.

목차

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

키워드

diblock copolymer copolymer lithography reactive ion etching Si nano dot nanotemplate