도금전류밀도 및 도금액 온도에 따른 비시안계 Au 범프의 표면 형상과 높이 분포도

• 영문명: Surface Morphology and Thickness Distribution of the Non-cyanide Au Bumps with Variations of the Electroplating Current Density and the Bath Temperature
• 발행기관: 한국마이크로전자및패키징학회
• 간행물 정보: 『마이크로전자 및 패키징학회지』제13권 제4호, 77~84쪽, 전체 8쪽
• 주제분류: 공학 > 산업공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2006.12.31

국문 초록

도금전류밀도와 도금액 온도에 따른 비시안계 Au 범프의 표면 거칠기 및 웨이퍼 레벨에서 Au 범프의 높이 분포도를 분석하였다. 3mA/cm²와 5mA/cm²에서 도금한 Au 범프는 40℃와 60℃의 도금액 온도에 무관하게 80~100nm의 낮은 표면 거칠기를 나타내었다. 8mA/cm²로 도금시 40℃에서 도금한 Au 범프는 표면 거칠기가 800nm 정도로 크게 증가하였으나, 60℃에서 형성한 Au 범프는 80~100nm의 표면 거칠기를 나타내었다. 도금전류밀도가 3mA/cm²에서 8mA/cm²로 증가함에 따라 웨이퍼 레벨에서 Au 범프의 높이 편차가 증가하였으며, 도금액 온도가 40℃보다 60℃일 때 웨이퍼 레벨에서 더 균일한 범프 높이의 분포도를 얻을 수 있었다.

영문 초록

Surface roughness and wafer-level thickness distribution of the non-cyanide Au bumps were characterized with variations of the electroplating current density and the bath temperature. The Au bumps, electroplated at 3mA/cm² and 5mA/cm², exhibited the surface roughness of 80~100nm without depending on the bath temperature of 40℃ and 60℃. The Au bumps, electroplated with 8mA/cm² at 40℃and60℃, exhibited the surface roughness of 800nm and 80~100nm, respectively. Wafer-level thickness deviation of the Au bumps became larger with increasing the current density from 3mA/cm²to8mA/cm². More uniform thickness distribution of the Au bumps was obtained at a bath temperature of 60℃ than that of 40℃.

목차

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

감사의 글

참고문헌

키워드

Gold bump non-cyanide electroplating current density