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열처리 온도에 따른 ITO/MEH-PPV/Al 구조의 유기 발광다이오드의 특성연구

이용수 5

영문명
Properties of Organic Light Emitting Diode with ITO/MEH-PPV/Al Structure on Heating Temperatures
발행기관
한국마이크로전자및패키징학회
저자명
간행물 정보
『마이크로전자 및 패키징학회지』제10권 제4호, 35~38쪽, 전체 4쪽
주제분류
공학 > 산업공학
파일형태
PDF
발행일자
2003.12.31
4,000

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1:1 문의
논문 표지

국문 초록

ITO/glass 기판 위에 발광물질로서 poly(2-methoxy-5-(2-ethylhexoxy)-1,4-phenylenevinylene (MEH-PPV)를 이용하여 스핀코팅법(spin coating)으로 Glass/ITOM/MEH-PPV/Al 구조를 가지는 고분자 유기 발광 다이오드를 제작하였다. MEH-PPV 박막형성시 열처리온도에 따른 다이오드의 전기적, 광학적 특성을 조사하였다. 열처리 온도를 65℃에서 170℃로 증가함에 따라 유기 발광다이오드의 발광휘도는 10V 인가전압에서 630 cd/m²에서 280 cd/m²로 크게 감소하였다. 또한 65℃에서 열처리한 시료의 경우 약 2 lm/W의 최대 발광효율을 나타내었다. 이러한 결과는 높은 온도에서 열처리시 MEH-PPV 유기 형광층과 전극간의 상호반응에 의한 계면 거칠기의 증가와 새로운 절연층의 형성 등과 관련이 있는것으로 판단된다.

영문 초록

Polymer light emitting diode (PLED) with an ITO/MEH-PPV/Al structure were prepared by spin coating method on the ITO (indium tin oxide)/glass substrates, using poly(2-methoxy-5-(2-ethylhexoxy)-1,4-phenylenevinylene (MEH-PPV) as the light emitting material. The dependence of heat treatment on the electrical and optical properties for the prepared PLED samples were investigated. The luminance decreased greatly from 630 cd/m² to 280 cd/m² at 10V input voltage as the heating temperature increased from 65℃ to 170℃. In addition, the luminance efficiency was found to be about 2 lm/W for the sample heat treated at 65℃. These results may be related to the interface roughness and/or the formation of an insulation layer, which is caused by the reaction between electrode and MEH-PPV organic luminescent film layer.

목차

1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
참고문헌

키워드

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참고문헌

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APA

. (2003).열처리 온도에 따른 ITO/MEH-PPV/Al 구조의 유기 발광다이오드의 특성연구. 마이크로전자 및 패키징학회지, 10 (4), 35-38

MLA

. "열처리 온도에 따른 ITO/MEH-PPV/Al 구조의 유기 발광다이오드의 특성연구." 마이크로전자 및 패키징학회지, 10.4(2003): 35-38

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