염소 플라즈마를 이용한 알루미늄 식각 공정이 저유전상수 층간절연막 polyimide에 미치는 영향

• 영문명: Effect of the Cl-based Plasma for Al Etching on the Interlayer Low Dielectric Polyimide
• 발행기관: 한국마이크로전자및패키징학회
• 간행물 정보: 『마이크로전자 및 패키징학회지』제6권 제1호, 75~79쪽, 전체 5쪽
• 주제분류: 공학 > 산업공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 1999.03.31

국문 초록

차세대 저유전상수 층간 절연막중 하나로 대두되고 있는 polyimide를 플라즈마에 노출시키고 이때 나타나는 전기적 특성변화를 살펴보았다. polyimide를 알루미늄 식각시 사용되고 있는 Cl-based 플라즈마에 노출시켰을때 유전상수가 약간 증가함을 볼 수 있었고, F-based 플라즈마로 SF₆ 플라즈마에 노출시켰을 때는 유전상수 감소를 볼 수 있었다. 이는 fluorine또는 chlorine bond의 생성과 관련된 것으로 FTIR과 XPS분석을 통해 확인할 수 있었다. 따라서 Cl-based 플라즈마로 알루미늄 식각 후 SF₆플라즈마에 노출시킴으로써 이 부식문제의 해결뿐만 아니라 po1yimide의 유전상수도 낮출 수 있으리라 기대된다.

영문 초록

We have studied electrical properties of polyimide for the next generation interlayer low dielectric during plasma etching. Dielectric constant of polyimide exposed to Cl-based plasma, which is used in aluminum etching, increased, while that of polyimide exposed to SF₆ plasma decreased. The results are related to fluorine or chlorine bonds as examined by FTIR ana XPS analyses. So, we expect that Cl-based plasma etching of aluminum followed by SF₆ plasma exposure results in the prevention of post-etch corrosion and decrease of dielectric constant.

목차

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

5. 감사의 글

6. 참고문헌