실리콘 팁 전계 방출 소자의 제조 및 동작 특성 평가

• 영문명: Fabrication and Characterization of Si-tip Field Emitter Array
• 발행기관: 한국마이크로전자및패키징학회
• 간행물 정보: 『마이크로전자 및 패키징학회지』제6권 제1호, 65~73쪽, 전체 9쪽
• 주제분류: 공학 > 산업공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 1999.03.31

국문 초록

Lift-off 공정에 의하여 Si-tip FEA를 제조하고 그 동작 특성을 평가하였다. 게이트 및 양극 전압에 따른 방출 전류의 변화, 최대 방출 전류, 히스테리시스 현상, MOSFET형 특성, 전류 표동, 방출된 전자에 의한 형광체 발광, 그리고 소자의 파괴 메카니즘 등이 실험 결과를 토대로 하여 폭 넓게 평가, 분석되었다.

영문 초록

Si-tip FEAs were fabricated by a lift-off based process and their operating properties were evaluated. The dependence of emission current on applied gate and anode voltages, maximum emission current, hysteresis phenomena, MOSFET-type curves, current fluctuation, light emission from the emitted electrons, and failure mechanism of the device were widely discussed based on the experimental results.

목차

1. 서론

2. Si-tip FEA의 제조 공정

3. Si-tip FEA의 등작 특성

4. 결론

참고문헌