학술논문
후속 열처리에 따른 Cu 박막과 ALD Ru 확산방지층의 계면접착에너지 평가
이용수 2
- 영문명
- Effect of Post-annealing on the Interfacial adhesion Energy of Cu thin Film and ALD Ru Diffusion Barrier Layer
- 발행기관
- 한국마이크로전자및패키징학회
- 저자명
- 간행물 정보
- 『마이크로전자 및 패키징학회지』제25권 제3호, 7~12쪽, 전체 6쪽
- 주제분류
- 공학 > 산업공학
- 파일형태
- 발행일자
- 2018.09.30
4,000원
구매일시로부터 72시간 이내에 다운로드 가능합니다.
이 학술논문 정보는 (주)교보문고와 각 발행기관 사이에 저작물 이용 계약이 체결된 것으로, 교보문고를 통해 제공되고 있습니다.
국문 초록
차세대 초미세 Cu 배선 적용을 위한 원자층증착법(atomic layer deposition, ALD)을 이용하여 증착된 Ru확산 방지층과 Cu 박막 사이의 계면 신뢰성을 평가하기 위해, Ru 공정온도 및 $200^{\circ}C$ 수식 이미지 후속 열처리 시간에 따라 4점굽힘시험으로 정량적인 계면접착에너지를 평가하였고, 박리계면을 분석하였다. 225, 270, $310^{\circ}C$ 수식 이미지 세 가지 ALD Ru 공정온도에 따른 계면접착에너지는 각각 8.55, 9.37, $8.96J/m^2$ 수식 이미지로 유사한 값을 보였는데, 이는 증착온도 변화에 따라 Ru 결정립 크기 등 미세조직 및 비저항의 차이가 적어서, 계면 특성도 거의 차이가 없는 것으로 판단된다. $225^{\circ}C$ 수식 이미지의 공정온도에서 증착된 Ru 박막의 계면접착에너지는 $200^{\circ}C$ 수식 이미지 후속 열처리시 250시간까지는 $7.59J/m^2$ 수식 이미지 이상으로 유지되었으나, 500시간 후에는 $1.40J/m^2$ 수식 이미지로 급격히 감소하였다. 박리계면에 대한 X-선 광전자 분광기 분석 결과, 500시간 후 Cu 계면 산화로 인하여 계면접착 에너지가 감소한 것으로 확인되었다. 따라서 ALD Ru 박막은 계면신뢰성이 양호한 차세대 Cu 배선용 확산방지층 후보가 된다고 판단된다.
영문 초록
The effects of Ru deposition temperature and post-annealing conditions on the interfacial adhesion energies of atomic layer deposited (ALD) Ru diffusion barrier layer and Cu thin films for the advanced Cu interconnects applications were systematically investigated. The initial interfacial adhesion energies were 8.55, 9.37, $8.96J/m^2$ 수식 이미지 for the sample deposited at 225, 270, and $310^{\circ}C$ 수식 이미지, respectively, which are closely related to the similar microstructures and resistivities of Ru films for ALD Ru deposition temperature variations. And the interfacial adhesion energies showed the relatively stable high values over $7.59J/m^2$ 수식 이미지 until 250h during post-annealing at $200^{\circ}C$ 수식 이미지, while dramatically decreased to $1.40J/m^2$ 수식 이미지 after 500 h. The X-ray photoelectron spectroscopy Cu 2p peak separation analysis showed that there exists good correlation between the interfacial adhesion energy and the interfacial CuO formation. Therefore, ALD Ru seems to be a promising diffusion barrier candidate with reliable interfacial reliability for advanced Cu interconnects.
목차
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
References
해당간행물 수록 논문
- 후속 열처리에 따른 Cu 박막과 ALD Ru 확산방지층의 계면접착에너지 평가
- 실리콘 다이아프램 구조에서 전단응력형 압전저항의 특성 분석
- 무선 데이터 전송 시스템이 장착된 웨어러블 저항식 스트레인 센서
- 다양한 In 조성을 가진 InGaN/GaN Multi Quantum Well의 효과적인 광전기화학적 물분해
- DRAM 소자의 PCT 신뢰성 측정 후 비정상 AlXOY 층 형성에 의해 발생된 불량 연구
- 유연기판 위 형성된 나노-마이크로 Pt 금속선 패턴의 내구성 연구
- UV 임프린트 공정을 이용한 평면 광회로 기반 형광 산소 센서 프로브 모듈 제작
- DRAM 소자의 PCT 신뢰성 측정 후 비정상 AlXOY 층 형성에 의해 발생된 불량 연구
- 태양광 접속함 정션박스 모듈 적용을 위한 Sn-3.0Ag-0.5Cu 및 Sn-1.0Ag-0.7Cu-1.6Bi-0.2In 솔더링의 공정최적화
- 미세 열에너지 하비스팅용 열전박막소자의 형성공정 및 발전특성
- Improvement in Thermomechanical Reliability of Power Conversion Modules Using SiC Power Semiconductors: A Comparison of SiC and Si via FEM Simulation
참고문헌
교보eBook 첫 방문을 환영 합니다!
신규가입 혜택 지급이 완료 되었습니다.
바로 사용 가능한 교보e캐시 1,000원 (유효기간 7일)
지금 바로 교보eBook의 다양한 콘텐츠를 이용해 보세요!