학술논문
구리 질화막을 이용한 구리 접합 구조의 접합강도 연구
이용수 12
- 영문명
- Bonding Strength Evaluation of Copper Bonding Using Copper Nitride Layer
- 발행기관
- 한국마이크로전자및패키징학회
- 저자명
- 간행물 정보
- 『마이크로전자 및 패키징학회지』제27권 제3호, 55~60쪽, 전체 6쪽
- 주제분류
- 공학 > 산업공학
- 파일형태
- 발행일자
- 2020.09.30
4,000원
구매일시로부터 72시간 이내에 다운로드 가능합니다.
이 학술논문 정보는 (주)교보문고와 각 발행기관 사이에 저작물 이용 계약이 체결된 것으로, 교보문고를 통해 제공되고 있습니다.
국문 초록
최근 참단 반도체 패키징 기술은 고성능 SIP(system in packaging) 구조로 발전해 가고 있고, 이를 실현시키기 위해서 구리 대 구리 접합은 가장 핵심적인 기술로 대두되고 있다. 구리 대 구리 접합 기술은 아직 구리의 산화 특성과 고온 및 고압력 공정 조건, 등 해결해야 할 문제점들이 남아 있다. 본 연구에서는 아르곤과 질소를 이용한 2단계 플라즈마 공정을 이용한 저온 구리 접합 공정의 접합 계면 품질을 정량적 접합 강도 측정을 통하여 확인하였다. 2단계 플라즈마 공정은 구리 표면에 구리 질화막을 형성하여 저온 구리 접합을 가능하게 한다. 구리 접합 후 접합 강도 측정은 4점 굽힘 시험법과 전단 시험법으로 수행하였으며, 평균 접합 전단 강도는 30.40 MPa로 우수한 접합 강도를 보였다.
영문 초록
The recent semiconductor packaging technology is evolving into a high-performance system-in-packaging (SIP) structure, and copper-to-copper bonding process becomes an important core technology to realize SIP. Copper-to-copper bonding process faces challenges such as copper oxidation and high temperature and high pressure process conditions. In this study, the bonding interface quality of low-temperature copper-to-copper bonding using a two-step plasma treatment was investigated through quantitative bonding strength measurements. Our two-step plasma treatment formed copper nitride layer on copper surface which enables low-temperature copper bonding. The bonding strength was evaluated by the four-point bending test method and the shear test method, and the average bonding shear strength was 30.40 MPa, showing that the copper-to-copper bonding process using a two-step plasma process had excellent bonding strength.
목차
I. 서론
II. 실험방법
III. 결과 및 토론
IV. 결론
감사의 글
References
해당간행물 수록 논문
- 무전해 니켈 도금액 pH 변화에 따른 ENIG/Sn-Ag-Cu솔더 접합부의 취성파괴 특성
- 구리 질화막을 이용한 구리 접합 구조의 접합강도 연구
- 레이저 마이크로 솔더링과 솔더링 인자
- 나노압입시험에서의 접촉형상 보정을 통한 유연소자 박막의 탄성특성 평가
- 신축 가능한 에폭시 베이스 전도성 접착제 개발
- 용액공정 기반 SnO2와 TiO2를 이중 전자수송층으로 적용한 양자점 전계 발광소자의 특성비교 연구
- 광경화 점착 테이프를 이용한 은 나노와이어 기반 투명전극 패터닝 공법
- 수상/해상 태양광발전 시스템의 패키징 기술개발 동향
- PoP용 Substrate의 Warpage 감소를 위해 유한요소법을 이용한 설계 파라메타 연구
- 단면 연마된 실리콘 웨이퍼의 열에 의한 휨 거동
- 플렉서블 디스플레이용 박막 소재 물성 평가
- SMT 공정 Nonwet 불량 인자에 대한 연구
- 나노박막 전사 방법 및 계면 파괴 역학
- 미세 Cu 배선 적용을 위한 SiNx/Co/Cu 박막구조에서 Co층이 계면 신뢰성에 미치는 영향 분석
- 오류정정
참고문헌
교보eBook 첫 방문을 환영 합니다!
신규가입 혜택 지급이 완료 되었습니다.
바로 사용 가능한 교보e캐시 1,000원 (유효기간 7일)
지금 바로 교보eBook의 다양한 콘텐츠를 이용해 보세요!