RF파워가 SiO2/PES 기판위에 증착한 ITZO 박막의 광학적 및 전기적 특성에 미치는 효과

• 영문명: Influence of the RF Power on the Optical and Electrical Properties of ITZO Thin Films Deposited on SiO2/PES Substrate
• 발행기관: 한국전자통신학회
• 저자명: 최병균(Byeong-Kyun Choi) 정양희(Yang-Hee Joung) 강성준(Seong-Jun Kang)
• 간행물 정보: 『한국전자통신학회 논문지』제16권 제3호, 443~449쪽, 전체 7쪽
• 주제분류: 공학 > 전자/정보통신공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2021.06.30

국문 초록

플라스틱 기판 중에서 열적 안정성과 광학적 특성이 우수한 PES 기판을 선택한 후, 흡습성이 높은 단점을 보완하기 위해 플라즈마 화학기상증착 법으로 SiO2 박막을 버퍼층으로 20nm 두께로 증착하였다. 그 후 ITZO 박막을 고주파 마그네트론 스퍼터링 법으로 증착하여 RF파워에 따른 전기적 및 광학적 특성들을 조사하였다. RF파워 50W에서 증착한 ITZO 박막이 8.02 × 10-4 Ω-cm의 비저항과 50.13 Ω/sq.의 면저항으로 가장 우수한 전기적 특성을 나타내었다. ITZO 박막의 가시광 영역(400-800 nm)에서의 평균 투과도는 RF파워가 40, 50W인 경우 80% 이상으로 비교적 높은 값을 나타내었다. 재료 평가 지수들인 ΦTC와 FOM은 RF파워 50W에서 증착한 ITZO 박막에서 각각 23.90×10-4 Ω-1와 5883 Ω-1cm-1로 가장 큰 값을 나타내었다.

영문 초록

After selecting a PES substrate with excellent thermal stability and optical properties among plastic substrates, a SiO2 thin film was deposited as a buffer layer to a thickness of 20nm by plasma-enhanced chemical vapor deposition to compensate for the high moisture absorption. Then, the ITZO thin film was deposited by a RF magnetron sputtering method to investigate electrical and optical properties according to RF power. The ITZO thin film deposited at 50W showed the best electrical properties such as a resistivity of 8.02×10-4 Ω-cm and a sheet resistance of 50.13Ω/sq.. The average transmittance of the ITZO thin film in the visible light region(400-800nm) was relatively high as 80% or more when the RF power was 40 and 50W. Figure of Merits (ΦTC and FOM) showed the largest values of 23.90×10-4 Ω-1 and 5883 Ω-1cm-1, respectively, in the ITZO thin film deposited at 50W.

목차

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 실험방법

Ⅲ. 결과 및 논의

Ⅳ. 결론

키워드

ITZO 박막 SiO2/PES 기판 흡습성 재료 평가 지수 (ΦTC와 FOM) ITZO Thin Film SiO2/PES Substrate Moisture Absorption Figure of Merit (ΦTC and FOM)