DRAM 커패시터의 질화막 내산화성 평가에 관한 연구

• 영문명: A Study on the Evaluation of Oxidation Resistance of Nitride Films in DRAM Capacitors
• 발행기관: 한국전자통신학회
• 저자명: 정윤근(Yeun-Gun Chung) 강성준(Seong-Jun Kang) 정양희(Yang-Hee Joung)
• 간행물 정보: 『한국전자통신학회 논문지』제16권 제3호, 451~456쪽, 전체 6쪽
• 주제분류: 공학 > 전자/정보통신공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2021.06.30

국문 초록

메모리 소자의 커패시터에서 셀 커패시턴스의 향상과 scale down을 위해 유전막으로써 적층형 ONO 구조가 도입되었고 이들의 박막화가 지속적으로 시도되고 있으나 공정 처리 과정에서 많은 문제들이 대두되고 있다. 본 연구에서는 L/L LPCVD를 사용하여 약 10Å의 자연산화막 성장을 억제함으로써 3fF/cell의 정전 용량을 확보할 수 있었다. 또한 유전막의 박막화에 따른 질화막의 이상산화에 미치는 영향을 고찰함으로써 내산화성을 확보할 수 있는 유전막 형성의 안정적인 공정 관리 방법을 제안하였다.

영문 초록

In order to improve the cell capacitance and scale down in capacitors of semiconductor memory devices, a stacked ONO structure has been introduced as a dielectric layer and thinning of these layers has been attempted continuously. However, many problems have emerged in the manufacturing process. In this study, L/L LPCVD system was used to suppress the growth of natural oxide film of about 10 Å, which was able to secure the capacitance of 3fF / cell. In addition, we investigated the effect of thinning of the dielectric film on the abnormal oxidation of the nitride film, and proposed a stable process control method for forming the dielectric film to ensure oxidation resistance.

목차

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 시료제작 및 실험방법

Ⅲ. 결과 및 논의

Ⅳ. 결론

키워드

질화막 이상 산화 내산화성 유전막 Nitride Film Abnormal Oxidation Oxidation Resistance Dielectric Film