열처리가 ZnO/Si와 ZnO/GaAs 이종구조의 물리적 특성에 미치는 영향

• 영문명: Influence of Thermal Annealing on the Physical Properties of ZnO/Si and ZnO/GaAs Heterostructures
• 발행기관: 호서대학교 공업기술연구소
• 저자명: 장태수(T .S .Jang) 이수만(S .M .Lee) 김강복(K .B .Kim) 오동철(D.C.Oh)
• 간행물 정보: 『공업기술연구 논문집』제34권 제2호, 15~19쪽, 전체 5쪽
• 주제분류: 공학 > 공학일반
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2015.12.30

국문 초록

본 연구에서는 Si(OOl)기판과 GaAs(OOl)기판상에서 RF-스퍼터링을 사용하여 제작된 Znᄋ박막을 열처리하여 성장조건과 열처리조건에 따른 물리적 특성을 평가하여 박막과 기판사이의 이종계면 에서의 상호확산을 관찰하였다. 제작된 Znᄋ박막은 성장조건과 무관하게 열처리 온도가 증가할수록 표면거칠기의 증가와 PL발광특성이 개선됨이 관측되었다. 또한 SIM S와 X-ray측정을 통해 열처리 온도가 증가함에 따라서 기판과 박막사이의 상호확산이 활발 해짐을 관측하였다. 상대적으로 Si기판은 900°C, GaAs기판은 700°C 열처리에서 급격한 변화를 보였다.

목차

i. 서 론

II. 실험 방법

III. 실 험 결 과 및 고찰

IV. 결론

키워드

ZnO thin films Annealing Heterostructure