고주파모델링을 위한 이중게이트 FET의 열잡음 파라미터 추출과 분석

• 영문명: Extraction and Analysis of Dual Gate FET Noise Parameter for High Frequency Modeling
• 발행기관: 한국전자통신학회
• 저자명: 김규철(Gue-Chol Kim)
• 간행물 정보: 『한국전자통신학회 논문지』제8권 제11호, 1633~1640쪽, 전체 8쪽
• 주제분류: 공학 > 전자/정보통신공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2013.11.30

국문 초록

본 논문에서는 이중게이트 FET를 고주파회로에 응용하기 위해 필요한 열잡음 파라미터를 추출하여 그 특성을 분석하였다. 이중게이트 열잡음 파라미터를 추출하기 위해 튜너를 이용해 잡음원의 임피던스를 바꿔가며잡음특성을 측정하였으며, open과 short 더미를 이용해서 패드의 기생성분을 제거하였다. 측정결과 일반적인 캐스코드구조의 FET와 비교해서 5GHz에서 약 0.2dB의 잡음 개선효과가 있음을 확인하였으며, 시뮬레이션과 소신호 파라미터 분석을 통해 드레인 소스 및 드레인 게이트간 캐패시턴스의 감소에 의해 잡음지수가 줄어들었음을 확인하였다

영문 초록

In this paper, noise parameters for high frequency modeling of dual-gate FET are extracted and analyzed. To extract thermal noise parameter of dual gate, noise characteristics are measured by changing input impedance of noise source using Tuner, and the influence of pad parasitic elements are subtracted using open and short dummy structure. Measured results indicated that the dual-gate FET is improved the noise figure by 0.2dB compared with conventional cascode structure FET at 5GHz, and it confirmed that the noise figure has dropped due to reduction of capacitances between the drain and source, gate and drain by simulation and analysis of small-signal parameters.

목차

Ⅰ. 서 론

Ⅱ. 입력환산잡음원을 이용한 열잡음 모델링

Ⅲ. 이중게이트 MOSFET의 열잡음 파라미터 추출

Ⅳ. 결 론

참고 문헌

키워드

Low noise MOSFET Small-signal Model CMOS 저잡음 MOSFETFET 소신호모델 CMOS