n-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동 보상을 위한 전압 기입 AMOLED 화소회로

• 영문명: A Voltage Programming AMOLED Pixel Circuit Compensating Threshold Voltage Variation of n-channel Poly-Si TFTs
• 발행기관: 한국전자통신학회
• 저자명: 정훈주(Hoon-Ju Chung)
• 간행물 정보: 『한국전자통신학회 논문지』제8권 제2호, 207~212쪽, 전체 6쪽
• 주제분류: 공학 > 전자/정보통신공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2013.02.28

국문 초록

본 논문에서는 n-채널 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동을 보상할 수 있는 전압 기입 AMOLED 화소회로를 제안하였다. 제안한 6T1C 화소회로는 5개의 스위칭 박막 트랜지스터, 1개의 OLED 구동 박막 트랜지스터 및 1개의 정전용량으로 구성되어 있다. SmartSpice 시뮬레이션 결과, 구동 트랜지스터의 문턱전압이 ±0.33 V 변동시 최대 OLED 전류의 오차율은 7.05 %이고 Vdata = 5.75 V에서 OLED 양극 전압오차율은 0.07 %로 제안한 6T1C 화소회로가 구동 트랜지스터의 문턱전압 변동에도 균일한 OLED 전류를 공급함을 확인하였다.

영문 초록

A novel pixel circuit that uses only n-type low-temperature polycrystalline silicon (poly-Si) thin-film transistors (LTPS-TFTs) to compensate the threshold voltage variation of a OLED driving TFT is proposed. The proposed 6T1C pixel circuit consists of 5 switching TFTs, 1 OLED　driving TFT and 1 capacitor. When the threshold voltage of driving TFT varies by ±0.33 V, Smartspice simulation results show that the maximum error rate of OLED current is 7.05 % and the error rate of anode voltage of OLED　is 0.07 % at Vdata = 5.75 V. Thus, the proposed 6T1C pixel circuit can realize uniform output current with high immunity to the threshold voltage variation of poly-Si TFT.

목차

Ⅰ. 서 론

Ⅱ. 새로운 전압 기입 AMOLED 화소회로

Ⅲ. 시뮬레이션 평가

Ⅳ. 결 론

참고 문헌

키워드

AMOLED Voltage programming pixel circuit n-channel Poly-Si TFT Threshold voltage variation AMOLED 전압 기입 화소회로 n-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 문턱전압 변동