전극 구조에 따른 유기 트랜지스터 특성

• 영문명: Organic Transistor Characteristics with Electrode Structures
• 발행기관: 한국전자통신학회
• 저자명: 이붕주(Boong-Joo Lee)
• 간행물 정보: 『한국전자통신학회 논문지』제8권 제1호, 93~98쪽, 전체 6쪽
• 주제분류: 공학 > 전자/정보통신공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2013.01.30

국문 초록

본 논문에서는 유기박막트랜지스터용 절연막에 활용코자 플라즈마 중합방법을 이용하여 PMMA 절연막을 제작하였다. 유기트랜지스터 성능향상을 위해 전극구조에 따른 특성을 파악하고자 트랜지스터의 이동도 및 출력특성을 본결과, 상부전극구조의 경우 최대 이동도는 8×10-3 [cm2V-1s-1]을 보이고 하부전극구조의 경우 2×10-4 [cm2V-1s-1]의 낮은 이동도 값을 얻었으며, 하부전극구조의 경우 off current값이 증가되는 특성을 볼수 있다. 그러므로 유기트랜지스터의 전극구조는 상부전극 방식이 좋은 것 알 수 있었다.

영문 초록

In this paper, We have fabricated PMMA thin films by plasma polymerization method for organic thin film transistor's insulator layer. For improving the characteristics of organic transistor, we tested transistor’s mobility and output values with organic transistor’s electrode structures. As a results, the mobility of top contact was 8×10-3 [cm2V-1s-1], that of bottom contact was 2×10-4 [cm2V-1s-1]. Also, off current of bottom contact was increased. Therefore, we recommend the top contact electrode structure of organic transistor.

목차

Ⅰ. 서 론

Ⅱ. 본 론

Ⅲ. 실험결과

Ⅵ. 결 론

참고 문헌

키워드

plasma polymerization method MMA OTFT(organic thin film transistor) electrode structure 플라즈마 중합법 메틸메타크릴레이트 유기박막 트랜지스터 전극구조