플립 칩 실장에 있어 본딩 패드 패턴의 고주파 특성 비교

• 영문명: A Comparison of RF Properties of Bonding Pad in Flip-Chip Packaging
• 발행기관: 한국마이크로전자및패키징학회
• 간행물 정보: 『마이크로전자 및 패키징학회지』제10권 제2호, 27~31쪽, 전체 5쪽
• 주제분류: 공학 > 산업공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2003.06.30

국문 초록

플립 칩 패키징에 있어 CPW배선 구조에 본딩 패드를 구성하여 1GHz부터 35GHz 범위에서 고주파 특성 변화를 관찰하였다. 본딩 패드로 구성된 구조들에 대한 시뮬레이션을 수행하고, 제작된 CPW의 S 파라미터를 측정하였다. 측정 결과 접지선과 신호선에 본딩 패드를 구성한 패턴은 기존 CPW의 S 파라미터 특성과 대등한 S₁₁은 -31 dB 이하, S₂₁은 -0.19 dB 이상이 관찰되었다. 아울러 접지선 폭에 따른 고주파 특성에서는 접지선 폭의 증가가 고주파 특성 개선을 가져왔다. 고주파 대역에서 플립 칩의 배선 구조로 제안된 본 연구의 본딩 패턴은 유효하였다.

영문 초록

RF characteristics of CPW(coplanar waveguide) pattern with bonding pads used in flip-chip packaging of GaAs is studied in the frequency range of 1 GHz to 35 GHz. Simulation, fabrication and evaluation are performed for the proposed patterns. Measurement results show proposed patterns have similar properties of S₁₁below -31 dB and S₂₁ above -0.19 dB with typical CPW In addition RF properties are improved with the increase of width of ground line. This indicates CPW structure with bonding pads keeps RF characteristics of typical CPW.

목차

1. 서론

2. 실험 방법

3. 실험결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

키워드

flip-chip packaging bonding pad RF properties