산화막의 질화 조건에 따른 트랩 파라미터에 관한 연구

• 영문명: Study on the Trap Parameters according to the Nitridation Conditions of the Oxide Films
• 발행기관: 한국전자통신학회
• 저자명: 윤운하(Woon Ha Yoon) 강성준(Seong Jun Kang) 정양희(Yang Hee Joung)
• 간행물 정보: 『한국전자통신학회 논문지』제11권 제5호, 473~478쪽, 전체 6쪽
• 주제분류: 공학 > 전자/정보통신공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2016.05.30

국문 초록

본 논문은 RTP법으로 산화막을 질화시킨 질화산화막으로 MIS 커패시터를 제작하여 avalanche 주입에 따른 캐리어 트랩 특성을 조사하였다. avalanche 주입에 의한 flatband 전압 변화는 두 번의 turn-around가 관찰되었는데 이는 처음 산화막에서 전자 트래핑이 있어나고, 전하 주입에 따라 홀 트래핑에 의한 turn-around 후 다시 전자 트래핑이 일어나는 것을 관찰하였다. 질화 산화막의 캐리어 트랩 파라미터를 결정하기 위하여 실험 결과를 기초로 종류가 다른 여러 트랩을 갖는 계에 대한 캐리어 트래핑을 비교한 결과 실험값과 일치함을 확인하였다.

영문 초록

In this paper, the MIS(: Metal-Insulator-Semiconductor) Capacitor with the nitrided-oxide by RTP are fabricated to investigate the carrier trap parameters due to avalanche electron injection. Two times turn-around phenomenon of the flatband voltage shift generated by the avalanche injection are observed. This shows that electron trapping occurs in the oxide film at the first stage. As the electron injection increases, the first turn-around occures due to a positive charge in the oxide layer. After further injection, the curves turns around once again by electron captured. Based on the experimental results, the carrier trapping model for system having multi-traps is proposed and is fitting with experimental data in order to determine trap parameter of nitrided-oxide.

목차

Ⅰ. 서 론

Ⅱ. 시료제작 및 실험방법

Ⅲ. 결과 및 논의

Ⅵ. 결 론

References

키워드

Oxide Films Nitridation Trap Injection 산화막 질화 트랩 주입