탄소나노튜브 트랜지스터 특성 연구

• 영문명: Characteristics of CNT Field Effect Transistor
• 발행기관: 한국전자통신학회
• 저자명: 박용욱(Yong-Wook Park) 나상엽(Sang-Yeob Na)
• 간행물 정보: 『한국전자통신학회 논문지』제5권 제1호, 88~92쪽, 전체 5쪽
• 주제분류: 공학 > 전자/정보통신공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2010.02.28

국문 초록

본 연구에서는 기존의 반도체 공정을 이용하여 bottom gate, top gate구조의 탄소나노튜브 트랜지스터를 제작하였다. 게이트 특성에 따른 특성을 연구하기 위하여 열화학 기상 증착법(CVD)으로 탄소나노튜브를 디바이스에 직접 성장시키고, 탄소나노튜브의 성장 특성 및 I-V동작 특성을 분석하였다. 제작된 탄소나노튜브 FET는 p-type, 즉 hole이 다수 캐리어로 존재하는 트랜지스터이며 구동전압에 따라 conductance 변화하는 특성을 보였다.

영문 초록

Bottom gate and top gate field-effect transistor based carbon nanotube(CNT) were fabricated by CMOS process. Carbon nanotube directly grown by thermal chemical vapor deposition(CVD) using Ethylene (C2H4) gas at 700 ℃. The growth properties of CNTs on the device were analyzed by SEM and AFM. The electrical transport characteristics of CNT FET were investigated by I-V measurement. Transport through the nanotubes is dominated by holes at room temperature. By varying the gate voltage, bottom gate and top gate field-effect transistor successfully modulated the conductance of FET device.

목차

Ⅰ. 서 론

Ⅱ. 실 험

Ⅲ. 결 과

Ⅳ. 결 론

참고 문헌

키워드

Carbon nanotube FET CVD Bottom gate Top gate