수직형LPE에 의한 InGaAsP(1.3㎛)/InP 다층박막 결정성장

• 영문명: The Thin Multi-Layer Crystal Growth of InGaAsP(1.3㎛)/InP by Vertical LPE System
• 발행기관: 한국해양대학교 해사산업연구소
• 저자명: 홍창희(Tchang-Hee Hong) 조호성(Ho-Sung Chom) 오종환(Jong-Hwan Oh) 김경식(Kyung-Sik Kim) 김재창(Jae-Chang Kim)
• 간행물 정보: 『해사산업연구소논문집』제1집, 225~231쪽, 전체 7쪽
• 주제분류: 공학 > 해양공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 1991.05.01

영문 초록

In this paper the results for thin multi-layer InGaAsP(1.3㎛)/InP crystal growth by vertical liquid epitexial growing furnance have been presented. The growth rates of InGaAsP layer and InP layer at cooling rate of 0.3℃/min and the growing temperature of 630℃ were obtained as 0.11㎛/min and 0.06㎛/min, respectively, by the uniform cooling with two phase solution technique.

목차

Abstract

I. 서론

II. InGaAsP/InP 다층박막 결정성장

III. 성장결과

IV. 결론

감사의 글

참고문헌