전기자동차 파워 인버터용 전력반도체 소자의 발전: SiC 및 GaN

• 영문명: Advances in Power Semiconductor Devices for Automotive Power Inverters: SiC and GaN
• 발행기관: 한국마이크로전자및패키징학회
• 저자명: 김동진 방정환 김민수
• 간행물 정보: 『마이크로전자 및 패키징학회지』제30권 제2호, 43~51쪽, 전체 9쪽
• 주제분류: 공학 > 산업공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2023.06.30

국문 초록

본 논문에서는 전기차 전력변환 시스템의 근간이 되는 전력반도체 소자의 발전 방향과 차세대 전력반도체 소자인 wide bandgap (WBG)의 특징에 관해 소개하고자 한다. 현재까지의 주류인 Si insulated gate bipolar transistor (IGBT) 의 특징에 관해 소개하고, 제조사 별 Si IGBT 개발 방향에 대해 다루었다. 또한 대표적인 WBG 전력반도체 소자인 SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET)이 가지는 특징을 고찰하여 종래의 Si IGBT 소자 대비 SiC MOSFET이 가지는 효용 및 필요성에 대해 서술하였다. 또한 현 시점에서의 GaN 전력반도체 소자가 가지는 한계 및 그로 인해 전기자동차용 전력변환모듈 용으로 사용하기에 이슈인 점을 서술하였다.

영문 초록

In this paper, we introduce the development trends of power devices which is the key component for power conversion system in electric vehicles, and discuss the characteristics of the next-generation wide-bandgap (WBG) power devices. We provide an overview of the characteristics of the present mainstream Si insulated gate bipolar transistor (IGBT) devices and technology roadmap of Si IGBT by different manufacturers. Next, recent progress and advantages of SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) which are the most important unipolar devices, is described compared with conventional Si IGBT. Furthermore, due to the limitations of the current GaN power device technology, the issues encountered in applying the power conversion module for electric vehicles were described.

목차

1. 서론

2. Si 전력 반도체 소자 (Si power devices)

3. WBG 전력 반도체 소자(wide band-gap power devices)

4. 결론

감사의 글

참고문헌

키워드

silicon carbide (SiC) gallium nitride (GaN) power device field-effect transistor avalanche breakdown channel mobility