RF 스퍼터링 및 급속열처리 공정으로 제작한 ZnS:Nd 박막의 구조 및 광학적 특성

• 영문명: Structure and Optical Properties of ZnS:Nd Thin filmsss Produced by RF Sputtering and Rapid Thermal Annealing Process
• 발행기관: 한국전자통신학회
• 저자명: 김원배(Won-Bae Kim)
• 간행물 정보: 『한국전자통신학회 논문지』제16권 제2호, 233~239쪽, 전체 7쪽
• 주제분류: 공학 > 전자/정보통신공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2021.04.30

국문 초록

다양한 함량으로 네오디뮴이 도핑된 황화아연 박막제작은 RF 마그네트론 스퍼터링 장비를 이용하여 황화아연과 네오디뮴을 동시 증착하여 박막을 제작하였고, 후처리 공정으로 급속열처리를 400℃에서 30분간 실시하였다. 다양한 네오디뮴의 도핑 함량(0.35at.%, 1.31at.%, 1.82at.% 및 1.90at.%)을 갖는 ZnS 박막의 구조, 형태, 광학적 특성을 연구하였다. X-선 회절 패턴은 모든 박막에서 (111)방향의 큐빅 구조로 성장하였다. SEM 이미 지와 AFM 이미지를 통해 네오디뮴 도핑 함량에 의한 박막의 표면 및 구조적 형태에 대하여 설명하였다. EDAX를 통해 다른 불순물이 포함되지 않은 Zn, S 및 Nd의 원소만을 확인하였다. UV-vis 스펙트럼을 이용하여 제작된 박막의 투과율과 밴드갭을 확인하였다.

영문 초록

For the production of neodymium-doped zinc sulfide thin films in various amounts, zinc sulfide and neodymium were simultaneously deposited using an RF magnetron sputtering equipment to form a thin films, and rapid thermal annealing was performed at 400°C for 30 minutes as a post-treatment process. The structure, shape, and optical properties of ZnS thin films having various neodymium doping contents (0.35at.%, 1.31at.%, 1.82at.% and 1.90at.%) were studied. The X-ray diffraction pattern was grown to a (111) cubic structure in all thin films. The surface and structural morphology of the thin films due to the neodymium doping content was explained through SEM and AFM images. Only elements of Zn, S, and Nd that do not contain other impurities were identified through EDAX. The transmittance and band gap of the prepared thin films were confirmed using the UV-vis spectrum.

목차

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 실험방법

Ⅲ. 결과 및 도찰

Ⅳ. 결론

키워드

CIGS 박막 태양전지 황화 아연 네오디뮴 RF 마크네트론 스퍼터링 급속 열처리 CIGS thin film solar cell Zinc sulfide Neodymium RF Magnetron Sputtering Rapid Thermal Annealing