R F - sputtering을 이용하여 (001) GaAs 기판위에 성장시킨 ZnO 박막에 관한 포괄적 연구

• 영문명: Comprehensive study about ZnO nlm growth on (001) GaAs substrate by rf-sputtering
• 발행기관: 호서대학교 공업기술연구소
• 저자명: 김강복(K .B .K im) 이수만(S .M Lee) 오동철(D.C.Oh)
• 간행물 정보: 『공업기술연구 논문집』제33권 제2호, 15~21쪽, 전체 7쪽
• 주제분류: 공학 > 공학일반
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2014.12.30

국문 초록

본 연구에서는 (001) GaAs 기판상에서 RF-sputter로 제작된 ZnO 박막에서 공정가스인 아르곤/ 산소의비, 박막의 성장온도, ZnO 저온버퍼의 열처리분위기와 버퍼두께와 구조적, 광학적 특성과의 상관관계를 고찰한다. 제작된 ZnO 박막은 결진성장을 의미하는 그래눌형태의 표면구조를 갖고 있었으며, 표면거칠기는 박막의 두께에 비례하고 구조적/광학적 성질과는 연관성이 관찰되지 않았다. 상대적으로 강한 발광효율을 갖는 ZnO 박막은 저온 ZnO 버피(2.5min의 성장시간과 15mTorr 산소분위기의 열처리로 제조)위에 75% 아르곤/ 25%산소비와 5 0 0 t의 성장온도로 제조된 박막이었다.

목차

i. 서 론

II. 실험 방법

III. 실험 결과 및 고찰

I V . 결론

키워드

RF-sputtering ZnO GaAs