온도 및 조성비 변화에 따른 질화물계 화합물 반도체 InAs1-X NX의 에너지 밴드갭 계산

• 영문명: The Calculation of the Energy Band Gaps of Zincblende InAs1- X NX on Temperature and Composition
• 발행기관: 한국전자통신학회
• 저자명: 정호용(Ho-Yong Chung) 김대익(Dae-Ik Kim)
• 간행물 정보: 『한국전자통신학회 논문지』제11권 제12호, 1165~1173쪽, 전체 9쪽
• 주제분류: 공학 > 전자/정보통신공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2016.12.30

국문 초록

본 연구에서는 무질서 효과가 고려된, 새로이 가정한 가상 결정 근사법 내의 Empirical Pseudopotential Method(EPM)를 사용하여 3원계 질화물계 화합물 반도체 InAs1-xNx의 휨 매개변수 및 에너지 밴드갭을 계산하였다. InAs1-xNx 조성비 구간(0≤x≤0.05)에서 계산된 휨 매개변수는 4.1eV를 갖으며, 해당되는 에너지 밴드갭들이 급격히 감소하고 있음을 알 수 있었다. EPM에 의한 계산 결과를 온도와 조성비를 고려한 수정된 BandAnti-Crossing(BAC) 모델에 적용하여 질화물계 화합물 반도체 InAs1-xNx의 에너지 띠구조를 계산하였다. 또한 InAs1-xNx의 결합 상수 CMN=1.8 등을 결정할 수 있었으며, 계산결과는 실험치를 대체로 잘 설명할 수 있었다.

영문 초록

The energy band gaps and the bowing parameters of zincblende InAs1-xN are determined by using an empirical pseudopotential method(EPM) within the improved virtual crystal approximation(VCA), which includes the disorder effect. The direct-band-gap bowing parameter calculated by using the EPM is 4.1eV for InAs1-xNx (0≤x≤0.05). The dependences of the band gaps of N-dilute InAs1-xNx on the temperature and composition are calculated by modifying the band anti-crossing(BAC) model. The calculation results are consistent with experimental values, and the coupling parameter CMN of InAs1-xNx is found to be equal to 1.8 by fitting the EPM data.

키워드

InAs1-xNx Bowing Parameter Energy Band Gap Empirical Pseudopotential Method Band Anti-Crossing Model InAs1-xNx 휨 매개 변수 에너지 밴드갭 EPM BAC모델