VCO를 이용한 차지펌프 설계

• 영문명: Design of Charge Pump Circuit with VCO
• 발행기관: 한국전자통신학회
• 저자명: 채용웅(Yong-yoong Chai)
• 간행물 정보: 『한국전자통신학회 논문지』제6권 제1호, 118~122쪽, 전체 5쪽
• 주제분류: 공학 > 전자/정보통신공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2011.02.28

국문 초록

플래시메모리의 쓰기나 소거 등의 프로그래밍 동작을 위해서는 각기 다른 고전압이 필요하며, 이를 위해서 차지펌프회로가 사용되어 왔다. 본 논문에서 제안되는 차지펌프회로는 VCO를 이용하여 외부에서 인가되는 기준전압과 차지펌프의 출력이 일치하도록 클락 주파수를 조절해줌으로서 공정에 의한 오차뿐만 아니라 차지펌프의 각 단을 구성하는 MOSFET의 바디효과에 관계없이 예측 가능한 출력을 발생하는 회로이다.

영문 초록

For programming such as writing or erasing of the flash memory, two different kinds of high voltage are required, and the charge pump circuit has been used for this. The charge pump circuit proposed in this paper uses the VCO to adjust the clock frequency in order to match the reference voltage approved from the outside and the charge pump’s output. Accordingly, I suggest a circuit that can produce a predictable output, regardless of not only an error by fabrication but also MOSFET’s body effect generated in each part of the charge pump

목차

Ⅰ. 서 론

Ⅱ. VCO를 이용한 차지펌프회로

Ⅲ. 차지펌프 회로

Ⅳ. 결 론

참고 문헌

키워드

차지펌프 VCO Memory 불활성소자 프로그래밍