0.13㎛ 기술의 shrink에 따른 DC Parameter 매칭에 관한 연구

• 영문명: A Study on the DC parameter matching according to the shrink of 0.13㎛ technology
• 발행기관: 한국전자통신학회
• 저자명: 문성열(Seong-Yeol Mun) 강성준(Seong-Jun Kang) 정양희(Yang-Hee Joung)
• 간행물 정보: 『한국전자통신학회 논문지』제9권 제11호, 1227~1232쪽, 전체 6쪽
• 주제분류: 공학 > 전자/정보통신공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2014.11.30

국문 초록

본 논문은 기존의 poly length만의 축소와 달리 입, 출력 소자를 포함한 core 디바이스의 0.13㎛ 디자인을 10% 축소하는 것으로 여러 채널 길이에 따른 body effect와 doping profile simulation을 해석하였다. 축소 전의 DC 파라미터 매칭을 위하여 게이트 산화막의 decoupled plasma nitridation 처리와 LDD(Lightly Doped Drain) 이온주입 전 TEOS(Tetraethylortho silicate) 산화막 100Å 그리고 LDD 이온주입을 22o tilt-angle(45o twist-angle)로 최적화하였고 그 결과 축소 전의 5%의 범위에서 매칭됨을 확인하였다

영문 초록

This paper relates 10% shrink from 0.13㎛ design for core devices as well as input and output (I/O) devices different from previous poly length shrink size only. We analyzed body effect with different channel length and doping profile simulation. After fixing the gate oxide module process, LDD implant conditions were optimized such as decoupled plasma nitridation of gate oxide, TEOS oxide 100Å before LDD implant and 22o tilt-angle(45o twist-angle) LDD implant respectively to match the spice DC parameters of pre-shrink and finally matched them within 5%.

목차

Ⅰ. Introduction

Ⅱ. Experimental

Ⅲ. Results and Discussion

Ⅵ. Conclusions

References

키워드

LDD Implant Ion Implant Gate Oxide Shrink Matching LDD 임플란트 이온 주입 게이트산화막 축소 매칭