p-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동을 보상할 수 있는 5-TFT OLED 화소회로

• 영문명: 5-TFT OLED Pixel Circuit Compensating Threshold Voltage Variation of p-channel Poly-Si TFTs
• 발행기관: 한국전자통신학회
• 저자명: 정훈주(Hoon-Ju Chung)
• 간행물 정보: 『한국전자통신학회 논문지』제9권 제3호, 279~284쪽, 전체 6쪽
• 주제분류: 공학 > 전자/정보통신공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2014.03.30

국문 초록

본 논문에서는 p-채널 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동을 보상할 수 있는 새로운 OLED 화소회로를 제안하였다. 제안한 5-TFT OLED 화소회로는 4개의 스위칭 박막 트랜지스터, 1개의 OLED 구동 박막 트랜지스터 및 1개의 정전용량으로 구성되어 있다. 제안한 화소회로의 한 프레임은 초기화구간, 문턱전압 감지 및 데이터 기입 구간, 데이터 유지 구간 및 발광 구간으로 나누어진다. SmartSpice 시뮬레이션 결과, 구동 트랜지스터의 문턱전압이 ±0.25V 변동 시 최대 OLED 전류의 오차율은 -4.06%이였고 구동 트랜지스터의 문턱전압이 ±0.50V 변동 시 최대 OLED 전류의 오차율은 9.74%였다. 따라서 제안한 5T1C화소회로는 p-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동에 둔감하여 균일한 OLED 전류를 공급함 을 확인하였다.

영문 초록

This paper proposes a novel OLED pixel circuit to compensate the threshold voltage variation of p-channel low temperature polycrystalline silicon thin-film transistors (LTPS TFTs). The proposed 5-TFT OLED pixel circuit consists of 4 switching TFTs, 1 OLED driving TFT and 1 capacitor. One frame of the proposed pixel circuit is divided into initialization period, threshold voltage sensing and data programming period, data holding period and emission period. SmartSpice simulation results show that the maximum error rate of OLED current is -4.06% when the threshold voltage of driving TFT varies by ±0.25V and that of OLED current is 9.74% when the threshold voltage of driving TFT varies by ±0.50V. Thus, the proposed 5T1C pixel circuit can realize uniform OLED current with high immunity to the threshold voltage variation of p-channel poly-Si TFT.

목차

Ⅰ. 서 론

Ⅱ. 새로운 OLED 화소회로

Ⅲ. 시뮬레이션 평가

Ⅳ. 결 론

참고 문헌

키워드

AMOLED Display Voltage Programming Pixel Circuit P-channel Poly-Si TFT Threshold Voltage Variation AMOLED 디스플레이 전압 기입형 화소 회로 p-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 문턱전압 변동