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InxGa1-xN 에피층의 광학적 특성 연구

이용수 7

영문명
발행기관: 강원대학교 기초과학연구소
저자명: 김희연 정경택 류미이
간행물 정보: 『기초과학연구』제19집, 61~67쪽, 전체 7쪽
주제분류: 자연과학 > 자연과학일반
파일형태: PDF
발행일자: 2008.12.30

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1:1 문의

국문 초록

PL (photoluminescence)과 TRPL (time-resolved PL) 실험을 이용하여 InxGa1-xN(x=0.10 and 0.19) 에피층 (epilayer)의 광학적 특성을 분석하였다. In (indium) 조성이 증가함에 따라 PL peak 에너지가 감소하고, PL 스펙트럼의 낮은 에너지 영역의 PL emission이 증가하였다. Emission 에너지가 감소함에 따라 PL decay time이 증가함을 보였다. 이것은 InN 상분리로 인한 포텐셜 변동에 의해 생긴 국소화된 상태 (localized state)들에 국소화된 엑시톤/캐리어 (localized exciton/carrier)의 재결합 특성이다.

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