Sub-threshold 영역의 MOSFET 동작을 이용한 OP-AMP 설계

• 영문명: Design of OP-AMP using MOSFET of Sub-threshold Region
• 발행기관: 한국전자통신학회
• 저자명: 조태일(Tae Il Cho) 여성대(Sung Dae Yeo) 조승일(Seung Il Cho) 김성권(Seong Kweon Kim)
• 간행물 정보: 『한국전자통신학회 논문지』제11권 제7호, 665~670쪽, 전체 6쪽
• 주제분류: 공학 > 전자/정보통신공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2016.07.30

국문 초록

본 논문에서는 IoT(Internet of Things) 시스템의 기본 구성이 되는 센서 네트워크에 사용될 수 있는 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)의 Sub-threshold 동작을 이용하는 OP-AMP(Operational amplifier) 설계를 제안한다. MOSFET의 Sub-threshold 동작은 전원전압을 낮추는 효과로 회로 시스템을 초저전력으로 유도할 수 있는 특징이 있기 때문에 배터리를 사용하는 IoT의 센서 네트워크시스템의 초저전력화에 매우 유용한 회로설계 기술이라고 할 수 있다. 0.35 μm 공정을 이용한 시뮬레이션 결과, VDD를 0.6 V로 설계할 수 있었으며, OP-AMP 의 Open-loop Gain은 43 dB, 또한 설계한 OP-AMP의 소비전력은 1.3 μW가 계산되었다. 또한, Active Layout 면적은 64 μm x 105 μm이다. 제안한 OP-AMP는 IoT의 저전력 센서 네트워크에 다양한 응용이 가능할 것으로 기대된다.

영문 초록

In this paper, we suggest the design of OP-AMP using MOSFET in the operation of sub-threshold condition as a basic unit of an IoT. The sub-threshold operation of MOSFET is useful for an ultra low power consumption of sensor network system in the IoT, because it cause the supply voltage to be reduced. From the simulation result using 0.35 um CMOS process, the supply voltage, VDD can be reduced with 0.6 V, open-loop gain of 43 dB and the power consumption was evaluated with about 1.3 μW and the active size for an integration was measured with 64 μm × 105 μm. It is expected that the proposed circuit is applied to the low power sensor network for IoT.

목차

Ⅰ. 서 론

Ⅱ. Sub-threshold의 개념

III. Sub-threshold Amplifier의 설계

Ⅳ. 결 론

References

키워드

Sub-threshold Low Power OP-AMP IoT Sensor Network 준임계 저전력 연산 증폭기 사물 인터넷 센서 네트워크