비정질 인듐갈룸ᅳ아연-산화물 박막트랜지스터 기반의 AMOLED 화소 회로

• 영문명: a-IGZO TFT Based Pixel Circuit for AMOLED Jae-Pyo Lee,1* Kyeong-Min Yu,1 JinNyoung Jang,2 MunPyo Hong,2 Byung
• 발행기관: 호서대학교 공업기술연구소
• 저자명: 이재표(Jae-Pyo Lee) 유경민(Kyeong-Min Yu) 장진녕(JinNyoung Jang) 홍문표(MunPyo Hong) 배병성(Byung Seong Bae)
• 간행물 정보: 『공업기술연구 논문집』제32권 제2호, 67~72쪽, 전체 6쪽
• 주제분류: 공학 > 공학일반
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2013.12.30

국문 초록

본 논문은 비정질 인둠ᅳ갈f ᅳ아연-산화물 박막트랜지스터 (a-IGZO TFT)를 이용하여 능동형 유기발광다이오드 (AMOLED)용 문턱전압(Vth )을 보상하는 화소 회로를 제안하였다. 산화물 TFT는 n-채널 TFT로써, 우리는 n-채널 TFT 특성으로 회로를 최적화하였다. 제안된 화소 회로는 회로 시뮬레이션 뿐만 아니라 회로 분석을 이용하여 확인되었다. 제안된 화소 회로는 AMOLED에서 구동 TFT의 문턱전압 변화를 보상할 수 있다. 제안된 화소 회로를 이용함으로써, 문턱전압 보상은 달성되었다.

영문 초록

rhis paper proposes a tnresnold voltage compensation pixel circuit for active-matrix organic light-emitting diode (AM OLED) using amorphous indium-gaUiimi-zinc-oxide thin-film transistors (a-IGZO TFTs), Oxide TFT is an n-channel TFT; therefore, we optimized the circuit for the n-channel TFT characteristics. The proposed pixel circuit was verified using circuit analysis as well as circuit simulations. The proposed circuit could compensate for the threshold voltage variations o f drive TFT in AM OLED. Using the proposed pixel circuit, threshold voltage compensation was achieved.

목차

i. 서 론

II. 제안된 화소 회로와 구동 방법

III. 제안된 호ᅡ소 회로의 시물레이션 결과

IV. 결 론

키워드

amorphous indium-gaUium-zinc-oxide (a-IG ZO ) thin-film transistor (TFT) active-matrix organic light-emitting diode (A M O L E D ) pixel circuit threshold voltage